FQB25N33TM_F085参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FQB25N33TM_F085中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 330 V

连续漏极电流Ids 25A

输入电容Ciss 2010pF @25VVds

额定功率Max 3.1 W

耗散功率Max 3.1W Ta, 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB25N33TM_F085

型号： FQB25N33TM_F085

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 330V 25A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

替代型号FQB25N33TM_F085

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FQB25N33TM_F085

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