FQA11N90_F109

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FQA11N90_F109中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 11.4A

上升时间 135 ns

输入电容Ciss 3500pF @25VVds

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQA11N90_F109
型号: FQA11N90_F109
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
替代型号FQA11N90_F109
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Fairchild 飞兆/仙童

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