FGA6530WDF

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FGA6530WDF中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 81 ns

额定功率Max 176 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA6530WDF
型号: FGA6530WDF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail

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