FDMD8260LET60

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FDMD8260LET60概述

Trans MOSFET N-CH 60V 67A 12Pin PQFN T/R

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 15A 1.1W Surface Mount 12-Power3.3x5


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N


艾睿:
Dual N-Channel Power Trench® MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 67A 12-Pin PQFN T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R


FDMD8260LET60中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 5245pF @30VVds

额定功率Max 1.1 W

下降时间 11 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerWDFN-12

外形尺寸

封装 PowerWDFN-12

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMD8260LET60
型号: FDMD8260LET60
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 67A 12Pin PQFN T/R

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