FCPF20N60

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FCPF20N60概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF20N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET, Semiconductor

Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。

利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。


欧时:
### SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


富昌:
FCPF20N60 系列 600 V 0.19 Ohms 通孔 N 沟道 Mosfet TO-220F


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF20N60  Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F


FCPF20N60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 150 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 39 W

阈值电压 5 V

输入电容 3.08 nF

栅电荷 98.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 3080pF @25VVds

额定功率Max 39 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 39 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCPF20N60
型号: FCPF20N60
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF20N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
替代型号FCPF20N60
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FCPF20N60

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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STF22NM60N

意法半导体

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