FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET, Semiconductor
Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。
欧时:
### SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
富昌:
FCPF20N60 系列 600 V 0.19 Ohms 通孔 N 沟道 Mosfet TO-220F
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF20N60 Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
额定电压DC 600 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 39 W
阈值电压 5 V
输入电容 3.08 nF
栅电荷 98.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 3080pF @25VVds
额定功率Max 39 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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