FDPC8011S

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FDPC8011S概述

PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET, Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。


欧时:
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDPC8011S, 20 A,60 A, Vds=25 V, 8引脚


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R


富昌:
Dual N-Channel 25 V 6 mΩ Surface Mount Asymmetric Mosfet - PowerClip33


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN


DeviceMart:
MOSF DL N CH ASYM 25V PWR CLIP33


FDPC8011S中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0012 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 13A/27A

输入电容Ciss 1240pF @13VVds

额定功率Max 800mW, 900mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WDFN-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.725 mm

封装 WDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDPC8011S
型号: FDPC8011S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET,Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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