QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 150 V 70A Tc 330W Tc Through Hole TO-3PN
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
欧时:
### QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 150V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA70N15 MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 150 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P
额定电压DC 150 V
额定电流 70.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 420 ns
输入电容Ciss 5400pF @25VVds
额定功率Max 330 W
下降时间 290 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 330 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FQA70N15 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQI6N40CTU 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQA70N15和FQI6N40CTU的区别 |