FQA70N15

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FQA70N15概述

QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 150 V 70A Tc 330W Tc Through Hole TO-3PN


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7


欧时:
### QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 150V N-Channel QFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA70N15  MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 150 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P


FQA70N15中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 70.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

上升时间 420 ns

输入电容Ciss 5400pF @25VVds

额定功率Max 330 W

下降时间 290 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQA70N15
型号: FQA70N15
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FQA70N15
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQA70N15

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQI6N40CTU

飞兆/仙童

功能相似

FQA70N15和FQI6N40CTU的区别

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