FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF380N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2.5 V
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET, Semiconductor
Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。
### MOSFET ,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.33 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 10.2A
输入电容Ciss 1665pF @25VVds
额定功率Max 31 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FCPF380N60 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SPA11N60C3XKSA1 英飞凌 | 功能相似 | FCPF380N60和SPA11N60C3XKSA1的区别 |
IPA60R380P6XKSA1 英飞凌 | 功能相似 | FCPF380N60和IPA60R380P6XKSA1的区别 |