FQB27N25TM_F085

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FQB27N25TM_F085中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 417W Tc

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 25.5A

上升时间 122 ns

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

额定功率Max 417 W

下降时间 60 ns

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FQB27N25TM_F085
型号: FQB27N25TM_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3Pin TO-263AB T/R

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