N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 40 V 28A Ta, 80A Tc 254W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
得捷:
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
立创商城:
N沟道 40V 28A 80A
贸泽:
MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
额定电压DC 40.0 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 0.0021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 254 W
阈值电压 2.9 V
栅电荷 230 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 19.3 ns
输入电容Ciss 12200pF @25VVds
额定功率Max 254 W
下降时间 17.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 254W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB8442 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD90N04S4-05 英飞凌 | 功能相似 | FDB8442和IPD90N04S4-05的区别 |
NP80N04PLG-E1B-AY 瑞萨电子 | 功能相似 | FDB8442和NP80N04PLG-E1B-AY的区别 |
NP80N04PUG-E1B-AY 瑞萨电子 | 功能相似 | FDB8442和NP80N04PUG-E1B-AY的区别 |