FDP053N08B_F102中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 146 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 120A
输入电容Ciss 5960pF @40VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 146W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.672 mm
高度 15.215 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDP053N08B_F102
型号： FDP053N08B_F102
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。