FDMD8260L概述
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 12Pin PQFN T/R
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 15A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
艾睿:
MOSFET 60V/20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 12-Pin PQFN T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
FDMD8260L中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 37 W
阈值电压 1 V, 1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 ±60 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 5245pF @30VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 12
封装 PowerWDFN-12
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerWDFN-12
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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