FDMS8050ET30

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FDMS8050ET30中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 180 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 55A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 22610pF @15VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.3W Ta, 180W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 6.25 mm

宽度 5.1 mm

高度 1.1 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMS8050ET30
型号: FDMS8050ET30
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8Pin Power 56 EP T/R

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