FCPF9N60NT参数规格_中文资料_数据手册PDF

FCPF9N60NT中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.33 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 29.8 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 8.7 ns

输入电容Ciss 1240pF @100VVds

额定功率Max 29.8 W

下降时间 10.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 29.8W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FCPF9N60NT

型号： FCPF9N60NT

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道MOSFET 600V ， 9A ， 0.385Ω N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385Ω

替代型号FCPF9N60NT