FDB6035AL参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDB6035AL概述

N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

N-Channel 30 V 48A Ta 52W Tc Surface Mount TO-263AB

得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET

立创商城:
N沟道 30V 48A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R

Win Source:
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

FDB6035AL中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

漏源极电阻 12.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 58.0 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 48.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB6035AL

型号： FDB6035AL

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

替代型号FDB6035AL