FDMS86101DC

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FDMS86101DC概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDMS86101DC中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 14.5A

上升时间 8.2 ns

输入电容Ciss 3135pF @50VVds

额定功率Max 3.2 W

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DualCool-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 DualCool-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMS86101DC
型号: FDMS86101DC
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDMS86101DC
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDMS86101DC

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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