FCMT299N60

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FCMT299N60中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125000 mW

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1948pF @380VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 Power-88

外形尺寸

高度 1.05 mm

封装 Power-88

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Exempt

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FCMT299N60
型号: FCMT299N60
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4Pin Power 88 T/R

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