FDR4420A

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FDR4420A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 11.0 A

漏源极电阻 9.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.8W Ta

输入电容 2.56 nF

栅电荷 23.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 -100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 15.0 ns

输入电容Ciss 2560pF @15VVds

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDR4420A
型号: FDR4420A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
替代型号FDR4420A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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