FDMS86550ET60

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FDMS86550ET60中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.4 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 156 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 8235pF @30VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.3W Ta, 187W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMS86550ET60
型号: FDMS86550ET60
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8Pin Power QFN EP T/R

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