FDMS8050

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FDMS8050中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2700 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 55A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 16150pF @15VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-33-8

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FDMS8050
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8Pin PQFN EP T/R

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