FQI27N25TU_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 110 Ω
极性 N-CH
耗散功率 417 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 25.5A
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
耗散功率Max 3.13W Ta, 417W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FQI27N25TU_F085
型号： FQI27N25TU_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：这些n沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形Dmos技术生产。这一先进技术是专为最大程度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适用于高效开关Dc/Dc转换器和开关电源应用。