UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 500V 15A Tc 38.5W Tc Through Hole TO-220F-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 15A TO220F
欧时:
### UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 500V 15A N-Chan FRFET UniFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
富昌:
500V, 15A, 0.48OHM, TO-220F
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3
通道数 1
漏源极电阻 370 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 38.5 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 1945pF @25VVds
额定功率Max 38.5 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDPF16N50UT Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFIB7N50APBF 威世 | 功能相似 | FDPF16N50UT和IRFIB7N50APBF的区别 |
ZDX130N50 罗姆半导体 | 功能相似 | FDPF16N50UT和ZDX130N50的区别 |