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FDP047AN08A0概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP047AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A, Semiconductor


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 75V N-Ch PowerTrench


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP047AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


富昌:
FDP047AN08A0 系列 75 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB


FDP047AN08A0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 310 W

阈值电压 4 V

输入电容 6.60 nF

栅电荷 92.0 nC

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 88 ns

输入电容Ciss 6600pF @25VVds

额定功率Max 310 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDP047AN08A0
型号: FDP047AN08A0
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP047AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
替代型号FDP047AN08A0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDP047AN08A0

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

IRFB3077PBF

英飞凌

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STP140NF75

意法半导体

功能相似

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