FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP047AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A, Semiconductor
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 75V N-Ch PowerTrench
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP047AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
FDP047AN08A0 系列 75 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
额定电压DC 75.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
输入电容 6.60 nF
栅电荷 92.0 nC
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 88 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDP047AN08A0 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB3077PBF 英飞凌 | 功能相似 | FDP047AN08A0和IRFB3077PBF的区别 |
STP140NF75 意法半导体 | 功能相似 | FDP047AN08A0和STP140NF75的区别 |