FDP2614中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0229 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 260 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 62A
输入电容Ciss 7230pF @25VVds
额定功率Max 260 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 260W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDP2614
型号： FDP2614
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP2614 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 0.0229 ohm, 10 V, 4 V
替代型号FDP2614
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP2614 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP320N20N3GXKSA1 英飞凌 | 功能相似 | FDP2614和IPP320N20N3GXKSA1的区别 |