FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A， Semiconductor
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB031N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 235A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 235A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
极性 N-CH
耗散功率 375 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 235A
上升时间 191 ns
输入电容Ciss 15160pF @25VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 121 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB031N08 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STB160N75F3 意法半导体 | 功能相似 | FDB031N08和STB160N75F3的区别 |
PSMN008-75B,118 恩智浦 | 功能相似 | FDB031N08和PSMN008-75B,118的区别 |
BUK764R0-75C,118 恩智浦 | 功能相似 | FDB031N08和BUK764R0-75C,118的区别 |