FDB2532_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 14 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 5870pF @25VVds
下降时间 17 ns
耗散功率Max 310W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDB2532_F085
型号： FDB2532_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道MOSFET PowerTrench® 150V ， 79A ， 26km朝© N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 79A, 16mΩ