FCP16N60

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FCP16N60概述

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Description

SuperFET™ is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC power conversion in switching mode operation for system

miniaturization and higher efficiency.

Features

• 650V @TJ = 150°C

• Typ. Rdson=0.22:

• Ultra low gate charge typ. Qg=45nC

• Low effective output capacitance typ. Coss.eff=110pF

• 100% avalanche tested

FCP16N60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 16.0 A

通道数 1

漏源极电阻 260 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 167 W

输入电容 1.73 nF

栅电荷 55.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 130 ns

输入电容Ciss 2250pF @25VVds

额定功率Max 167 W

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCP16N60
型号: FCP16N60
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FCP16N60
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FCP16N60

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STP18NM60N

意法半导体

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