SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Description
SuperFET™ is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC power conversion in switching mode operation for system
miniaturization and higher efficiency.
Features
• 650V @TJ = 150°C
• Typ. Rdson=0.22:
• Ultra low gate charge typ. Qg=45nC
• Low effective output capacitance typ. Coss.eff=110pF
• 100% avalanche tested
额定电压DC 600 V
额定电流 16.0 A
通道数 1
漏源极电阻 260 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 167 W
输入电容 1.73 nF
栅电荷 55.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
额定功率Max 167 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FCP16N60 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP18NM60N 意法半导体 | 功能相似 | FCP16N60和STP18NM60N的区别 |
STP22NM60N 意法半导体 | 功能相似 | FCP16N60和STP22NM60N的区别 |