FDMS86152概述
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8Pin QFN EP T/R
* Max rDSon = 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14 A * Max rDSon = 11 mΩ at VGS = 6 V, ID = 11.5 A * Advanced Package and Silicon combination for low rDSon and high efficiency * MSL1 robust package design * 100% UIL tested * RoHS Compliant
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin QFN EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin Power 56 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin QFN EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 14A POWER56
FDMS86152中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 2.7 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 3370pF @50VVds
额定功率Max 2.7 W
下降时间 5 ns
耗散功率Max 2.7W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
外形尺寸
封装 Power-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDMS86152