FDP2710中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 260 W
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 252 ns
输入电容Ciss 7280pF @25VVds
额定功率Max 260 W
下降时间 154 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 260W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDP2710
型号： FDP2710
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDP2710
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP2710 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB4229PBF 英飞凌 | 功能相似 | FDP2710和IRFB4229PBF的区别 |