FDPF2710T概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF2710T 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.0363 ohm, 10 V, 3.9 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for synchronous rectification.
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- Fast switching speed
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- Low gate charge
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability
FDPF2710T中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0363 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 3.9 V
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 252 ns
输入电容Ciss 7280pF @25VVds
额定功率Max 62.5 W
下降时间 154 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDPF2710T
型号： FDPF2710T
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF2710T 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.0363 ohm, 10 V, 3.9 V