FGA50T65SHD

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FGA50T65SHD中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 319 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 34.6 ns

额定功率Max 319 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 319000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA50T65SHD
型号: FGA50T65SHD
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:IGBT 晶体管 FS3TIGBT TO3PN 50A 650V

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