FDB035AN06A0_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 3.2 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 93 ns
输入电容Ciss 6400pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买FDB035AN06A0_F085
型号： FDB035AN06A0_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。