FDMS86202ET120

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FDMS86202ET120中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3300 mW

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 13.5A

上升时间 8.75 ns

输入电容Ciss 4585pF @60VVds

下降时间 6.1 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.3W Ta, 187W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMS86202ET120
型号: FDMS86202ET120
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8Pin Power QFN EP T/R

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