PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A， Semiconductor
欧时:
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB060AN08A0, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 16A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
FDB060AN08A0 系列 75 V 0.013 Ohms N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-263AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 16A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB060AN08A0 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 75 V, 6 mohm, 10 V, 4 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
额定电压DC 75.0 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 0.006 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 255 W
阈值电压 4 V
输入电容 5.15 nF
栅电荷 73.0 nC
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 79 ns
输入电容Ciss 5150pF @25VVds
额定功率Max 255 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 255 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99