FGA40T65SHDF

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FGA40T65SHDF概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3Pin TO-3PN Tube

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN


得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A Rail


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-3PN Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail


Win Source:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 268 W Through Hole TO-3PN


FGA40T65SHDF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 268000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 101 ns

额定功率Max 268 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 268000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA40T65SHDF
型号: FGA40T65SHDF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3Pin TO-3PN Tube

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