FDB029N06

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FDB029N06概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 60 V 120A Tc 231W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 193A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 193A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK


FDB029N06中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 231 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 193A

输入电容Ciss 9815pF @25VVds

额定功率Max 231 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 231W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB029N06
型号: FDB029N06
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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