FDA032N08

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FDA032N08中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 375 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 235A

上升时间 191 ns

输入电容Ciss 15160pF @25VVds

额定功率Max 375 W

下降时间 121 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDA032N08
型号: FDA032N08
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道MOSFET的PowerTrench 75V , 235A , 3.2mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 235A, 3.2mΩ

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