PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 150 V 8.3 mΩ Flange Mount PowerTrench Mosfet - TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP083N15A_F102 MOSFET Transistor, N Channel, 117 A, 150 V, 0.00685 ohm, 10 V, 2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.00685 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 294 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 105A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 6040pF @25VVds
额定功率Max 231 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 294W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.672 mm
高度 15.215 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDP083N15A_F102 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDP083N15A 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDP083N15A_F102和FDP083N15A的区别 |