FDP083N15A_F102

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FDP083N15A_F102概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 150 V 8.3 mΩ Flange Mount PowerTrench Mosfet - TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP083N15A_F102  MOSFET Transistor, N Channel, 117 A, 150 V, 0.00685 ohm, 10 V, 2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3


FDP083N15A_F102中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.00685 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 294 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 105A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 6040pF @25VVds

额定功率Max 231 W

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 294W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.672 mm

高度 15.215 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDP083N15A_F102
型号: FDP083N15A_F102
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDP083N15A_F102
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Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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