FGA20S125P参数规格_中文资料_数据手册PDF

FGA20S125P概述

Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail

IGBT Trench Field Stop 1.25V 40A 250W Through Hole TO-3PN

得捷:
IGBT, 40A, 1250V, N-CHANNEL

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.25KV 40A 3-Pin3+Tab TO-3PN T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.25KV 40A 3-Pin3+Tab TO-3PN T/R

DeviceMart:
IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN

FGA20S125P中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 1250 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA20S125P

型号： FGA20S125P

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail

替代型号FGA20S125P