FGH40T65SPD_F155概述
IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
分离式 IGBT， Semiconductor
得捷:
IGBT 650V 80A 267W TO-247
欧时:
### 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
贸泽:
IGBT Transistors HV IGBT
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
FGH40T65SPD_F155中文资料参数规格
在线购买FGH40T65SPD_F155
型号： FGH40T65SPD_F155
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。