FDP036N10A

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FDP036N10A中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 333 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 214A

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 7295pF @25VVds

额定功率Max 227 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 333 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDP036N10A
型号: FDP036N10A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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