FDI045N10A_F102

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FDI045N10A_F102概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDI045N10A_F102, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 164A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 164A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3


FDI045N10A_F102中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 263 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 164A

输入电容Ciss 5270pF @50VVds

额定功率Max 263 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 263W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.65 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDI045N10A_F102
型号: FDI045N10A_F102
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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