FCMT199N60

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FCMT199N60中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 199 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 208 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2950pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 Power-88-4

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-88-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FCMT199N60
型号: FCMT199N60
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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