FCP165N60E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.132 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 227 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 23A
输入电容Ciss 2434pF @380VVds
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 227W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FCP165N60E
型号： FCP165N60E
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 V 新
替代型号FCP165N60E
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FCP165N60E Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHP22N60E-GE3 威世 | 功能相似 | FCP165N60E和SIHP22N60E-GE3的区别 |