FGA20N120FTDTU

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FGA20N120FTDTU中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 298000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 447 ns

额定功率Max 298 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 298000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA20N120FTDTU
型号: FGA20N120FTDTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FGA20N120FTD 系列 1200 V 40 A 场截止 沟道 IGBT-TO-3PN

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