N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification, battery protection circuit and micro solar inverter application.
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- Low miller charge
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- Low Qrr body diode
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
输入电容 6.00 nF
栅电荷 84.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 39.0 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
额定功率Max 310 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDH3632 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQH140N10 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDH3632和FQH140N10的区别 |
IRFP4310ZPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDH3632和IRFP4310ZPBF的区别 |
IXTH75N10 IXYS Semiconductor | 功能相似 | FDH3632和IXTH75N10的区别 |