500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
N-Channel 500V 28.4A Tc 310W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL
贸泽:
MOSFET 500V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
额定电压DC 500 V
额定电流 28.4 A
漏源极电阻 160 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 28.4 A
上升时间 290 ns
输入电容Ciss 5600pF @25VVds
下降时间 175 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQA28N50 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQA28N50F 飞兆/仙童 | 完全替代 | FQA28N50和FQA28N50F的区别 |
STW28NM50N 意法半导体 | 功能相似 | FQA28N50和STW28NM50N的区别 |