500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
N-Channel 500V 24A Tc 290W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
24A, 500V, 0.2OHM, N-CHANNEL, M
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
富昌:
N-沟道 500 V 0.2 Ω 120 nC 法兰安装 Mosfet - TO-3PN
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
额定电压DC 500 V
额定电流 24.0 A
通道数 1
漏源极电阻 200 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 290 W
阈值电压 5 V
输入电容 3.50 nF
栅电荷 90.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 250 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
额定功率Max 290 W
下降时间 155 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 290W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
宽度 5 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQA24N50 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | FQA24N50和STP55NF06的区别 |
STW20NK50Z 意法半导体 | 功能相似 | FQA24N50和STW20NK50Z的区别 |
STD18N55M5 意法半导体 | 功能相似 | FQA24N50和STD18N55M5的区别 |