FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2710 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 250 V, 0.0363 ohm, 10 V, 4 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit.
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- Low gate charge
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- High power and current handing capability
额定电压DC 250 V
额定电流 50.0 A
额定功率 260 W
针脚数 2
漏源极电阻 0.0363 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 260 W
阈值电压 4 V
输入电容 7.28 nF
栅电荷 101 nC
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 252 ns
输入电容Ciss 7280pF @25VVds
额定功率Max 260 W
下降时间 154 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 260 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB2710 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF540NSPBF 国际整流器 | 功能相似 | FDB2710和IRF540NSPBF的区别 |