FDB86360_F085

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FDB86360_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 333 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 197 ns

输入电容Ciss 14600pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 333W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FDB86360_F085
型号: FDB86360_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N-CH 80V 110A TO263

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